WCT-120PL产品分别采用标准QSSPC方法和光致发光法测量硅片的载流子寿命。 瞬态光电导衰减法(PCD)和荧光方法两种互为补充。操作和使用起来和WCT120一样方便。
wct-120pl系统能力
主要应用:
通过使用QSSPC或短暂的寿命测量和PL测量制造过程监控和优化步骤。
其它功能:
•初始材料(硅片)质量监控
•(硅片)加工过程中的重金属污染晶圆检测
•评价表面钝化和发射极的掺杂剂扩散
•使用隐含的VOC测量来查找生产过程引入的漏电因素
•迭代计算qsspl和QSSPC数据得到衬底掺杂情况
上图是wct-120pl得到的一个校准的荧光寿命曲线与一个校准的QSSPC寿命曲线产生寿命数据的载流子密度对照曲线。
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WCT-120PL晶片寿命测量工具采用的是与WCT-120一样独特的测量与分析技术,同时增加了光致发光(PL)检测器用来测量样品的PL寿命及掺杂情况。该系统采用的是准稳态光电导(QSSPC)寿命测量方法及瞬态光电导衰退(PCD)寿命测量方法,同时还补充采用了校准后的PL寿命测量方法。该工具还可以作为标准的WCT-120使用。
WCT-120PL 系统功能
主要应用:采用QSSPC或者瞬态寿命测量及PL测量逐步监控并优化制造过程。
其它应用:
l 监控初步的材料质量
l 检测晶片加工过程中的重金属污染
l 评价表面钝化及发射器掺杂扩散
l 利用隐含的Voc测量评价过程所诱发的分流
l 从QSSPL及QSSPC数据迭代式地计算所有基质的掺杂情况