光伏薄膜(半导体)材料测试

ResMap 463-OC

ResMap 463-OC463-OC•300mm wafer auto load ◦200mm, 150mm options◦Manual load any size•Dual or quad probe changer•Stand-alone system•Wide variety of mapping patterns

ResMap 463-FOUP

ResMap 463-FOUP463FOUP 300mm wafer FOUPDual or quad probe changerAdaptor for 300mm & 200mm cassetteStand-alone systemMini-environment

ResMap 168

ResMap 168168•Auto- loading cassette ◦4" - 8" wafer auto load◦2" - 8" wafer manual load•Table top model•Fast measurement time•Wide variety of mapping patterns

CDE ResMap 四点探针 (ResMap 178)4探针测试系统（电阻率，面电阻）

CDE　ResMap–CDE CDE ResMap 四点探针 (ResMap 178)　公司生产之电阻值测试系统是以四探针的工艺，以配合各半导体成光伏生产厂家进出之生产品质监控，既超卓可靠又简易操作的设备是半导体及光伏生产厂家不可缺少的

CDE ResMap Model 468

CDE　ResMap–CDE　公司生产之电阻值测试系统CDE ResMap Model 468 是以四探针的工艺，以配合各半导体成光伏生产厂家进出之生产品质监控，既超卓可靠又简易操作的设备是半导体及光伏生产厂家不可缺少的

CDE ResMap Model 463-FOUP and 463-OC

CDE　ResMap–CDE　公司生产之电阻值测试系统CDE ResMap Model 463-FOUP and 463-OC是以四探针的工艺，以配合各半导体成光伏生产厂家进出之生产品质监控，既超卓可靠又简易操作的设备是半导体及光伏生产厂家不可缺少的

ResMap 273

CDE　ResMap–CDE　公司生产之电阻值测试系统是以四探针的工艺，以配合各半导体成光伏生产厂家进出之生产品质监控，既超卓可靠又简易操作的设备是半导体及光伏生产厂家不可缺少的

深能级瞬态谱仪（Deep Level Transient Spectroscopy system）

深能级瞬态谱仪是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段！测试功能：电容模式、定电容模式、电流模式、（双关联模式）、Zerbst模式、光激发模式、FET分析、MOS分析、等温瞬态谱、Trap profiling、俘获截面测量、I/V,I/V(T) 查理森Plot分析、C/V, C/V(T) 、TSC/TSCAP 、光子诱导瞬态谱、DLOS；测试根据半导体P-N结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C~t）技术和深能级瞬态谱的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具

半导体行业专用CDE ResMap 四点探针

CDE　ResMap–CDE　公司生产之电阻值测试系统是以四探针的工艺，以配合各半导体成光伏生产厂家进出之生产品质监控，既超卓可靠又简易操作的设备是半导体及光伏生产厂家不可缺少的

光伏测试专用美国ResMap四点探针

光伏测试专用美国ResMap四点探针针：CDE ResMap的特点如简述如下: * 高速稳定及专利自动决定范围量测与传送,THROUGHPUT高 * 数字方式及每点高达4000笔数据搜集,表现良好重复性及再现性 * Windows 操作接口及软件操作简单 * 新制程表现佳(铜制程低电阻率1.67mΩ-cm及Implant高电阻2KΩ/□以上,皆可达成高精确度及重复性) * 体积小,占无尘室面积少 * 校正简单,且校正周期长 * 可配合客户需求,增强功能与适用性 * 300mm 机种可

Jandel通用型四探针测试仪 4探针测试系统（4 point probe measurement system)

少子寿命测试仪 WCT-120测试硅片

美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪采用了准稳定态光电导(QSSPC)测量方法和分析技术。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应、表面复合效应等缺陷情况。WCT在效率大于20%的超高效太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研发和生产过程中是一种被广泛选用的检测工具。这种QSSPC测量少子寿命的方法可以在电池生产的中间任意阶段得到一个类似光照IV曲线的开压曲线，可以结合最后的IV曲线对电池制作过程进行数据监控和参数优化等工作。

少子寿命测量仪 BCT-400测试硅锭

少子寿命测量仪BCT-400测试硅锭BCT-400 BCT-400测量系统不需要做表面钝化就能直接测量单晶和多晶硅（锭或块）的少子寿命. 因为少子寿命作为衡量生长和缺陷含量的的最敏感的技术参数，这个工具直接获得长硅的质量参数。

薄膜应力测量系统

世界顶级薄膜应力测量系统，MOS技术荣获美国专利！曾荣获2008 Innovation of the Year Awardee！

PVE300太阳能电池量子效率测试仪

外量子效率External Quantum Efficiency 太阳能电池（光电材料）光谱响应测试，或称量子效率QE（Quantum Efficiency）测试，或光电转化效率IPCE (Monochromatic Incident Photon-to-Electron Conversion Efficiency) 测试等，广义来说，就是测量太阳能电池（光电材料）的光电特性在不同波长光照条件下的数值，所谓光电特性包括：光生电流、光导等。