相对P型晶硅电池,N型晶硅电池的少子寿命高,无光致衰减,弱光效应好,温度系数小,是晶硅太阳能电池迈向理论最高效率的希望。
TOPCon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触(Tunnel Oxide Passivated Contact)太阳能电池技术,其电池结构为N型硅衬底电池,在电池背面制备一层超薄氧化硅,然后再沉积一层掺杂硅薄层,二者共同形成了钝化接触结构,有效降低表面复合和金属接触复合,为N-PERT电池转换效率进一步提升提供了更大的空间。
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TOPCon电池概念
TOPCon电池的概念由德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(Fraunhofer-ISE)于2013年提出,下图为该N型钝化接触太阳能电池的结构示意图。
图1. 钝化接触太阳能电池结构示意图
TOPCon正面与常规N型太阳能电池或N-PERT太阳能电池没有本质区别,电池核心技术是背面钝化接触,硅片背面由一层超薄氧化硅(1~2nm)与一层磷掺杂的微晶非晶混合Si薄膜组成。钝化性能通过退火过程进行激活,Si薄膜在该退火过程中结晶性发生变化,由微晶非晶混合相转变为多晶。在850°C的退火温度下退火,iVoc > 710 mV, J0在9-13 fA/cm2,显示了钝化接触结构优异的钝化性能,所制备的电池效率超过 23%。目前N型前结钝化接触太阳能电池世界纪录(25.8%)由Fraunhofer-ISE研究所保持。
TOPCon工艺流程
TOPCon电池最大程度保留和利用现有传统P型电池设备制程,只需增加硼扩和薄膜沉积设备,无须背面开孔和对准,极大的简化了电池生产工艺,量产化困难度低。
图2. TOPCon 工艺流程图
目前用于生长高质量重掺杂多晶硅层的方法有LPCVD(低压化学气相沉积)和PECVD两种。一种是用LPCVD原位(或离位)掺杂形成多晶硅,由于LPCVD沉积过程会带来绕镀问题,使电池性能退化,因此可选择离位掺杂,即LPCVD形成本征多晶后再进行扩散或离子注入掺杂,形成重掺杂的多晶硅;另一种是使用PECVD沉积掺杂非晶硅或微晶硅层,再经过退火得到掺杂的多晶硅。
工业上常用的多晶硅层厚度约为160-200nm,为了节省成本和提高性能,电池制造商希望将多晶硅层厚度降低到100nm,甚至50nm。
TOPCon电池的优点与缺点
TOPCon电池的优点
(1) 电池转换 效率高,具有优越的界面钝化和载流子输运能力,较高的Uoc和FF
数据来源:CPIA, 2020.4
表1 TOPCon电池转换效率记录情况
(1) 光致衰减低,掺磷的N型晶体硅中硼含量极低,削弱了硼氧对的影响
(2) 工艺设备产线 兼容性高,可与PERC、N-PERT双面电池的高温制备工艺产线相兼容
(3) N型TOPCon电池可与SE、IBC、多主栅、半片、叠片技术相结合, 显著提高电池效率及组件功率
TOPCon电池的缺点
(1) 成本较高,相比较于标准PERC工艺,TOPCon技术资本支出(CAPEX)偏高约 10%,运营成本(OPEX)偏高约 25%
(2) 效率提升潜力有限
TOPCon的降本之路
相比较于标准PERC工艺,TOPCon的成本相对较高,如果与PERC竞争性价比,则TOPCon效率至少要达到 24.5%以上。
TOPCon后续优化降本方向:
(1) 降低n-poly层厚度,降低成本,减少自由载流子吸收
(2) 避免边缘绕镀,提升电池性能
(3) 设备成熟度及成本的降低
(4) 浆料性能突破,降低 J0, metal
为进一步提升电池效率,光伏技术路线从P型向N型升级,启动下一轮电池技术变革。TOPCon因其优异的高效性及兼容性,越来越受市场的关注,成为N型高效电池产业化的切入点。